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FGH30T65UPDT-F155

FGH30T65UPDT-F155 ON Semiconductor


fgh30t65updt.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details FGH30T65UPDT-F155 ON Semiconductor

Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 33 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/139ns, Switching Energy: 760µJ (on), 400µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 8Ohm, 15V, Gate Charge: 155 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 250 W.

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FGH30T65UPDT-F155 FGH30T65UPDT-F155 Hersteller : ON Semiconductor fgh30t65updt.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH30T65UPDT-F155 FGH30T65UPDT-F155 Hersteller : ON Semiconductor fgh30t65updt.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH30T65UPDT_F155 FGH30T65UPDT_F155 Hersteller : Fairchild Semiconductor FAIRS46081-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/139ns
Switching Energy: 760µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 250 W
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FGH30T65UPDT-F155 FGH30T65UPDT-F155 Hersteller : onsemi fgh30t65updt-d.pdf Description: IGBT 650V 60A 250W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/139ns
Switching Energy: 760µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 250 W
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FGH30T65UPDT-F155 FGH30T65UPDT-F155 Hersteller : onsemi / Fairchild FGH30T65UPDT_D-2313210.pdf IGBT Transistors FS1TIGBT TO247 30A 650V
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