FGH40N65UFDTU ON-Semicoductor
Hersteller: ON-Semicoductor
IGBT 650V 80A 290W FGH40N65UFDTU TFGH40N65ufdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
IGBT 650V 80A 290W FGH40N65UFDTU TFGH40N65ufdtu
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Technische Details FGH40N65UFDTU ON-Semicoductor
Description: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 45 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns, Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 290 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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FGH40N65UFDTU Produktcode: 160734 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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FGH40N65UFDTU | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FGH40N65UFDTU | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 45 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 290 W |
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FGH40N65UFDTU | Hersteller : onsemi / Fairchild |
IGBT Transistors N-ch / 40A 650V |
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