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FGH50T65UPD

FGH50T65UPD onsemi / Fairchild

FGH50T65UPD_D-2313339.pdf Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 650 V 100 A 240 W
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Technische Details FGH50T65UPD onsemi / Fairchild

Description: IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 53 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 32ns/160ns, Switching Energy: 2.7mJ (on), 740µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 230 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 340 W.

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FGH50T65UPD FGH50T65UPD Hersteller : onsemi fgh50t65upd-d.pdf Description: IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/160ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 340 W
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FGH50T65UPD FGH50T65UPD Hersteller : ON Semiconductor fgh50t65upd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 340000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH50T65UPD FGH50T65UPD Hersteller : ON Semiconductor fgh50t65upd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 340W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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