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FGH60T65SHD-F155

FGH60T65SHD-F155 onsemi

fgh60t65shd-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/87ns
Switching Energy: 1.69mJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 349 W
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Technische Details FGH60T65SHD-F155 onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 34.6 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/87ns, Switching Energy: 1.69mJ (on), 630µJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 102 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A, Power - Max: 349 W.

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FGH60T65SHD-F155 Hersteller : onsemi / Fairchild FGH60T65SHD_D-2313214.pdf IGBT Transistors 650 V, 60 A Field Stop Trench IGBT
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FGH60T65SHD-F155 FGH60T65SHD-F155 Hersteller : ON Semiconductor fgh60t65shd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH60T65SHD-F155 FGH60T65SHD-F155 Hersteller : ON Semiconductor fgh60t65shd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH60T65SHD-F155 FGH60T65SHD-F155 Hersteller : ONSEMI FGH60T65SHD-D.PDF Description: ONSEMI - FGH60T65SHD-F155 - IGBT, 650 V, 60 A FIELD STOP TRENCH
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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