FGH75T65SQD-F155 onsemi
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Switching Energy: 760µJ (on), 180µJ (off)
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Switching Energy: 760µJ (on), 180µJ (off)
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
auf Bestellung 1036 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 14.92 EUR |
30+ | 11.83 EUR |
120+ | 10.14 EUR |
510+ | 9.01 EUR |
1020+ | 7.72 EUR |
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Technische Details FGH75T65SQD-F155 onsemi
Description: ONSEMI - FGH75T65SQD-F155 - IGBT, N-Kanal, 150 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A.
Weitere Produktangebote FGH75T65SQD-F155 nach Preis ab 7.31 EUR bis 15.03 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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FGH75T65SQD-F155 | Hersteller : onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 650V FS4 Trench IGBT |
auf Bestellung 3775 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FGH75T65SQD-F155 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH75T65SQD-F155 - IGBT, N-Kanal, 150 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A |
auf Bestellung 785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH75T65SQD-F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
auf Bestellung 310 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FGH75T65SQD-F155 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FGH75T65SQD-F155 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FGH75T65SQD-F155 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |