FGH75T65SQDNL4 onsemi
Hersteller: onsemiDescription: 650V/75 FAST IGBT FSIII T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 134 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/208ns
Switching Energy: 1.25mJ (on), 1.26mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 152 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 375 W
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2+ | 23.82 EUR |
| 30+ | 17.28 EUR |
| 120+ | 14.28 EUR |
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Technische Details FGH75T65SQDNL4 onsemi
Description: 650V/75 FAST IGBT FSIII T, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 134 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-4L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 44ns/208ns, Switching Energy: 1.25mJ (on), 1.26mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 152 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 375 W.
Weitere Produktangebote FGH75T65SQDNL4 nach Preis ab 13.29 EUR bis 24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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FGH75T65SQDNL4 | Hersteller : onsemi |
IGBT Transistors 650V/75 FAST IGBT |
auf Bestellung 449 Stücke: Lieferzeit 1200-1214 Tag (e) |
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FGH75T65SQDNL4 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH75T65SQDNL4 - IGBT, 200 A, 1.43 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.43V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 200A |
auf Bestellung 885 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH75T65SQDNL4 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FGH75T65SQDNL4 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FGH75T65SQDNL4 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FGH75T65SQDNL4 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |