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FGH75T65UPD

FGH75T65UPD ON Semiconductor

fgh75t65upd-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details FGH75T65UPD ON Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 85 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 32ns/166ns, Switching Energy: 2.85mJ (on), 1.2mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 385 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 375 W.

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FGH75T65UPD FGH75T65UPD Hersteller : onsemi fgh75t65upd-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/166ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 385 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 375 W
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