FGP15N60UNDF

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details FGP15N60UNDF

Description: IGBT 600V 30A 178W TO220-3, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Power - Max: 178 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Part Status: Last Time Buy, Gate Charge: 43 nC, Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 370µJ (on), 67µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 9.3ns/54.8ns, IGBT Type: NPT, Supplier Device Package: TO-220-3, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A, Reverse Recovery Time (trr): 82.4 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole.

Preis FGP15N60UNDF ab 2.41 EUR bis 3.89 EUR

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Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 600V 15A NPT IGBT
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Description: IGBT 600V 30A 178W TO220-3
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 178 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Last Time Buy
Gate Charge: 43 nC
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 370µJ (on), 67µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 9.3ns/54.8ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-220-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A
Reverse Recovery Time (trr): 82.4 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
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