FGP15N60UNDF
FGP15N60UNDF
Hersteller: ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details FGP15N60UNDF
Description: IGBT 600V 30A 178W TO220-3, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Power - Max: 178 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Part Status: Last Time Buy, Gate Charge: 43 nC, Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 370µJ (on), 67µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 9.3ns/54.8ns, IGBT Type: NPT, Supplier Device Package: TO-220-3, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A, Reverse Recovery Time (trr): 82.4 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole.
Preis FGP15N60UNDF ab 2.41 EUR bis 3.89 EUR
 Hersteller: ON Semiconductor Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FGP15N60UNDF Hersteller: ON Semiconductor
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27188 Stücke |
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 Hersteller: onsemi / Fairchild IGBT Transistors 600V 15A NPT IGBT
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild IGBT Transistors 600V 15A NPT IGBT
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 Hersteller: onsemi Description: IGBT 600V 30A 178W TO220-3 Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Power - Max: 178 W Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Part Status: Last Time Buy Gate Charge: 43 nC Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 370µJ (on), 67µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 9.3ns/54.8ns IGBT Type: NPT Supplier Device Package: TO-220-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A Reverse Recovery Time (trr): 82.4 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole
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auf Bestellung 1297 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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