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FJP13007H2TU

FJP13007H2TU ONSEMI


FJP13007H2TU.PDF Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 5...60
Mounting: THT
Kind of package: tube
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Technische Details FJP13007H2TU ONSEMI

Description: ONSEMI - FJP13007H2TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 26hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: FJP13007, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 4MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Preis ohne MwSt
FJP13007H2TU FJP13007H2TU Hersteller : ONSEMI FJP13007H2TU.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 5...60
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FJP13007H2TU FJP13007H2TU Hersteller : onsemi fjp13007-d.pdf Description: TRANS NPN 400V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 26 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
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7+3.93 EUR
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FJP13007H2TU FJP13007H2TU Hersteller : onsemi / Fairchild FJP13007_D-2313373.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor
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1000+ 1.96 EUR
3000+ 1.91 EUR
5000+ 1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 12
FJP13007H2TU FJP13007H2TU Hersteller : ONSEMI FJP13007-D.PDF Description: ONSEMI - FJP13007H2TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 26hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: FJP13007
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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FJP13007H2TU FJP13007H2TU Hersteller : ON Semiconductor fjp13007-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FJP13007H2TU FJP13007H2TU Hersteller : ON Semiconductor fjp13007-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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