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FMBM5551

FMBM5551 ON Semiconductor

fmbm5551-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R
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Technische Details FMBM5551 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FMBM5551 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 600 mA, 700 mW, tariffCode: 85413000, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -W, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A, Übergangsfrequenz, PNP: -MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 700mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA.

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FMBM5551 FMBM5551 Hersteller : ON Semiconductor fmbm5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R
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FMBM5551 FMBM5551 Hersteller : onsemi fmbm5551-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SSOT-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
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FMBM5551 FMBM5551 Hersteller : onsemi / Fairchild FMBM5551_D-2313536.pdf Bipolar Transistors - BJT SSOT6 NPN General Purpose Amplifier
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3000+ 0.3 EUR
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FMBM5551 FMBM5551 Hersteller : onsemi fmbm5551-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SSOT-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
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500+ 0.45 EUR
1000+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 27
FMBM5551 FMBM5551 Hersteller : ONSEMI 2729174.pdf Description: ONSEMI - FMBM5551 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 600 mA, 700 mW
tariffCode: 85413000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A
Übergangsfrequenz, PNP: -MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 700mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
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FMBM5551 FMBM5551 Hersteller : ONSEMI 2729174.pdf Description: ONSEMI - FMBM5551 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 600 mA, 700 mW
tariffCode: 85413000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A
Übergangsfrequenz, PNP: -MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 700mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
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FMBM5551 Hersteller : FAIRCHIL fmbm5551-d.pdf 07+ SOP28
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FMBM5551 Hersteller : Fairchild fmbm5551-d.pdf
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FMBM5551 FMBM5551 Hersteller : ON Semiconductor fmbm5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R
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FMBM5551 FMBM5551 Hersteller : ON Semiconductor fmbm5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R
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FMBM5551 Hersteller : ONSEMI fmbm5551-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.7W; TSOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.7W
Case: TSOT23
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FMBM5551 Hersteller : ONSEMI fmbm5551-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.7W; TSOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.7W
Case: TSOT23
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
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