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FP50R12KT3BOSA1

FP50R12KT3BOSA1 Infineon Technologies


121db_fp50r12kt3.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fileiddb.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray
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Technische Details FP50R12KT3BOSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FP50R12KT3BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 50 A, 1.7 V, 280 W, 125 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 50A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 280W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPIM, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 50A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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FP50R12KT3BOSA1 FP50R12KT3BOSA1 Hersteller : Infineon Technologies 121db_fp50r12kt3.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fileiddb.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray
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FP50R12KT3BOSA1 FP50R12KT3BOSA1 Hersteller : Infineon Technologies 121db_fp50r12kt3.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fileiddb.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray
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FP50R12KT3BOSA1 FP50R12KT3BOSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-FP50R12KT3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4316f40544a Description: IGBT MOD 1200V 75A 280W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.5 nF @ 25 V
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FP50R12KT3BOSA1 FP50R12KT3BOSA1 Hersteller : INFINEON Infineon-FP50R12KT3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4316f40544a Description: INFINEON - FP50R12KT3BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 50 A, 1.7 V, 280 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 50A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 280W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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FP50R12KT3BOSA1 FP50R12KT3BOSA1 Hersteller : Infineon Technologies 121db_fp50r12kt3.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fileiddb.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 280000mW 35-Pin ECONO3-3 Tray
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FP50R12KT3BOSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES FP50R12KT3BOSA1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A
Application: frequency changer; Inverter
Case: AG-ECONO3-3
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: diode/transistor
Power dissipation: 280W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: EconoPIM™ 2
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FP50R12KT3BOSA1 FP50R12KT3BOSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_FP50R12KT3_DS_v02_00_EN-3162997.pdf IGBT Modules LOW POWER ECONO
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FP50R12KT3BOSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES FP50R12KT3BOSA1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A
Application: frequency changer; Inverter
Case: AG-ECONO3-3
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: diode/transistor
Power dissipation: 280W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: EconoPIM™ 2
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
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