FP50R12KT4B11BOSA1

FP50R12KT4B11BOSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Material: FP50R12KT4B11 IGBT modules
Infineon-FP50R12KT4_B11-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd57301161a73efc91e28
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Technische Details FP50R12KT4B11BOSA1

Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Power - Max: 280 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Part Status: Discontinued at Digi-Key, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: Module, NTC Thermistor: Yes, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Configuration: Three Phase Inverter, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Bulk, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V.

Preis FP50R12KT4B11BOSA1 ab 0 EUR bis 0 EUR

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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Material: FP50R12KT4B11 IGBT modules
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FP50R12KT4B11BOSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280000mW 23-Pin ECONO2-4 Tray
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280000mW 23-Pin ECONO2-4 Tray
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 280 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Discontinued at Digi-Key
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
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