FPF1C2P5MF07AM ON Semiconductor / Fairchild
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Technische Details FPF1C2P5MF07AM ON Semiconductor / Fairchild
Description: IGBT MODULE 620V 39A 231W F1, Packaging: Tray, Package / Case: F1 Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Single Phase Bridge Rectifier, Configuration: Full Bridge Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 30A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: F1, Current - Collector (Ic) (Max): 39 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 620 V, Power - Max: 231 W, Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA.
Weitere Produktangebote FPF1C2P5MF07AM
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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FPF1C2P5MF07AM | Hersteller : ON Semiconductor |
 650V 30A DC/AC HIGH POWER MOD |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FPF1C2P5MF07AM | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT MODULE 620V 39A 231W F1 Packaging: Tray Package / Case: F1 Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Single Phase Bridge Rectifier Configuration: Full Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 30A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: F1 Current - Collector (Ic) (Max): 39 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 620 V Power - Max: 231 W Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA |
Produkt ist nicht verfügbar |