FQA28N50 ON Semiconductor
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Technische Details FQA28N50 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 28.4A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 14.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FQA28N50 nach Preis ab 6.99 EUR bis 13.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FQA28N50 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
 MOSFET 500V N-Channel QFET |
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| FQA28N50 | Hersteller : FAIRCHILD |
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| FQA28N50 | Hersteller : FSC |
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auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQA28N50 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 28.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQA28N50 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 28.4A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 14.2A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V |
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