FQA40N25 ONSEMI
Hersteller: ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; Idm: 160A; 280W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 280W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 15+ | 4.93 EUR |
| 21+ | 3.53 EUR |
| 22+ | 3.35 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FQA40N25 ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA40N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 40 A, 0.051 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280W, Bauform - Transistor: TO-3PN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FQA40N25 nach Preis ab 3.29 EUR bis 7.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FQA40N25 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; Idm: 160A; 280W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 25A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 280W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
FQA40N25 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 250V 40A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V |
auf Bestellung 245 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
FQA40N25 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 250V N-Channel QFET |
auf Bestellung 912 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
FQA40N25 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA40N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 40 A, 0.051 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 280W Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
 |
FQA40N25 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
 |
FQA40N25 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |