FQA7N80C-F109 onsemi
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Technische Details FQA7N80C-F109 onsemi
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.4A; Idm: 28A; 198W; TO3PN, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 4.4A, Pulsed drain current: 28A, Power dissipation: 198W, Case: TO3PN, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.9Ω, Mounting: THT, Gate charge: 35nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced.
Weitere Produktangebote FQA7N80C-F109
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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FQA7N80C-F109 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQA7N80C-F109 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQA7N80C-F109 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.4A; Idm: 28A; 198W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4.4A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 198W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.9Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |