FQB55N10 ONSEMI
Hersteller: ONSEMIDescription: ONSEMI - FQB55N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 55
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 155
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 155
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1152 Stücke:
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Technische Details FQB55N10 ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB55N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, Dauer-Drainstrom Id: 55, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 155, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, Verlustleistung: 155, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
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