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FQB55N10TM

FQB55N10TM ONSEMI

FQB55N10.pdf Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details FQB55N10TM ONSEMI

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: QFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 38.9A, Power dissipation: 155W, Case: D2PAK, Gate-source voltage: ±25V, On-state resistance: 26mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 98nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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FQB55N10TM FQB55N10TM Hersteller : ONSEMI FQB55N10.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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