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Technische Details FQB8N90CTM onsemi / Fairchild
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.8A; Idm: 25A; 171W; D2PAK, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: QFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 900V, Drain current: 3.8A, Pulsed drain current: 25A, Power dissipation: 171W, Case: D2PAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.9Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 45nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote FQB8N90CTM
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FQB8N90CTM | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.8A; Idm: 25A; 171W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 3.8A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 171W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FQB8N90CTM | Hersteller : onsemi | Description: MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK |
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FQB8N90CTM | Hersteller : onsemi | Description: MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK |
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FQB8N90CTM | Hersteller : Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK |
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FQB8N90CTM | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.8A; Idm: 25A; 171W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 3.8A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 171W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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