FQB8N90CTM

FQB8N90CTM onsemi / Fairchild


FQB8N90CTM_D-2313813.pdf Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET QFC 900V 1.9OHM D2PAK
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Technische Details FQB8N90CTM onsemi / Fairchild

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.8A; Idm: 25A; 171W; D2PAK, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: QFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 900V, Drain current: 3.8A, Pulsed drain current: 25A, Power dissipation: 171W, Case: D2PAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.9Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 45nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FQB8N90CTM FQB8N90CTM Hersteller : ONSEMI fqb8n90ctm-d.pdf ONSM-S-A0003590779-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.8A; Idm: 25A; 171W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 171W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FQB8N90CTM FQB8N90CTM Hersteller : onsemi fqb8n90ctm-d.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK
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FQB8N90CTM FQB8N90CTM Hersteller : onsemi fqb8n90ctm-d.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK
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FQB8N90CTM FQB8N90CTM Hersteller : Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003590779-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK
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FQB8N90CTM FQB8N90CTM Hersteller : ONSEMI fqb8n90ctm-d.pdf ONSM-S-A0003590779-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.8A; Idm: 25A; 171W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 171W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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