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Technische Details FQB8P10TM onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FQB8P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8 A, 0.41 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm.
Weitere Produktangebote FQB8P10TM
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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FQB8P10TM | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
 Description: MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK |
auf Bestellung 44020800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQB8P10TM | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQB8P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8 A, 0.41 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQB8P10TM | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK |
auf Bestellung 44020800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQB8P10TM | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQB8P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8 A, 0.41 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQB8P10TM | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK |
auf Bestellung 20800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FQB8P10TM | Hersteller : FAIRCHILD |
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auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FQB8P10TM | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQB8P10TM | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.7A; Idm: -32A; 65W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 65W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 15nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: -32A Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: -100V Drain current: -5.7A On-state resistance: 530mΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FQB8P10TM | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.7A; Idm: -32A; 65W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 65W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 15nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: -32A Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: -100V Drain current: -5.7A On-state resistance: 530mΩ |
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