FQD12N20LTM-F085

FQD12N20LTM-F085

FQD12N20LTM-F085

Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET Trans MOS N-Ch 200V 9A 3-Pin 2+Tab
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Technische Details FQD12N20LTM-F085

Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Not For New Designs, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V.

Preis FQD12N20LTM-F085 ab 1.81 EUR bis 3.12 EUR

FQD12N20LTM-F085
Hersteller: ONSEMI
Material: FQD12N20LTM-F085 SMD N channel transistors
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FQD12N20LTM-F085
Hersteller: ON Semiconductor

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FQD12N20LTM-F085
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Hersteller: ONSEMI
Material: FQD12N20LTM-F085 SMD N channel transistors
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
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