FQD13N10LTM onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
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Technische Details FQD13N10LTM onsemi
Description: ONSEMI - FQD13N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.142 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 10, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 40, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote FQD13N10LTM nach Preis ab 0.42 EUR bis 1.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FQD13N10LTM | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level |
auf Bestellung 327269 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQD13N10LTM | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3680 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQD13N10LTM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD13N10LTM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQD13N10LTM | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD13N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.142 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 40 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 euEccn: NLR Verlustleistung: 40 Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQD13N10LTM | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD13N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.142 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 40 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 euEccn: NLR Verlustleistung: 40 Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
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FQD13N10LTM | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.3A Power dissipation: 40W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FQD13N10LTM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FQD13N10LTM | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.3A Power dissipation: 40W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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