FQD2N60CTM-WS

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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V 1.9A NCH MOSFET
FQU2N60C_D-2313846.pdf
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Technische Details FQD2N60CTM-WS

Description: MOSFET N-CH 600V 1.9A, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Supplier Device Package: D-Pak, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 25V, Vgs (Max): ±30V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).

Preis FQD2N60CTM-WS ab 1.19 EUR bis 2.22 EUR

FQD2N60CTM-WS
FQD2N60CTM-WS
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD2N60CTM-WS
Hersteller: ONSEMI
Material: FQD2N60CTM-WS SMD N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
Material: FQD2N60CTM-WS SMD N channel transistors
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Hersteller: ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 1.9A
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package: D-Pak
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 25V
Vgs (Max): ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
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