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FQD3N60CTM-WS

FQD3N60CTM-WS onsemi


fqd3n60ctm_ws-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
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Technische Details FQD3N60CTM-WS onsemi

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.5A; Idm: 9.6A; 50W; DPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 1.5A, Pulsed drain current: 9.6A, Power dissipation: 50W, Case: DPAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 3.4Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 14nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FQD3N60CTM-WS FQD3N60CTM-WS Hersteller : ONSEMI fqd3n60ctm_ws-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.5A; Idm: 9.6A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FQD3N60CTM-WS FQD3N60CTM-WS Hersteller : onsemi fqd3n60ctm_ws-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
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FQD3N60CTM-WS FQD3N60CTM-WS Hersteller : onsemi / Fairchild FQD3N60CTM_WS_D-1809597.pdf MOSFET 600V 2.4A N-Channel Q-FET
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FQD3N60CTM-WS FQD3N60CTM-WS Hersteller : ONSEMI fqd3n60ctm_ws-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.5A; Idm: 9.6A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
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