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Technische Details FQD5P10TM ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FQD5P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.6 A, 0.82 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote FQD5P10TM
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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FQD5P10TM | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 100V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD5P10TM | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD5P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.6 A, 0.82 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FQD5P10TM | Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 100V P-Channel QFET |
auf Bestellung 3042 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FQD5P10TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FQD5P10TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FQD5P10TM | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2.28A; Idm: -14.4A; 25W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -2.28A Pulsed drain current: -14.4A Power dissipation: 25W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.05Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FQD5P10TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FQD5P10TM | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2.28A; Idm: -14.4A; 25W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -2.28A Pulsed drain current: -14.4A Power dissipation: 25W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.05Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |