FQD7P20TM onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 10+ | 2.73 EUR |
| 12+ | 2.24 EUR |
| 100+ | 1.74 EUR |
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Technische Details FQD7P20TM onsemi
Description: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm.
Weitere Produktangebote FQD7P20TM nach Preis ab 1.18 EUR bis 2.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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FQD7P20TM | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 200V P-Channel QFET |
auf Bestellung 224944 Stücke: Lieferzeit 560-574 Tag (e) |
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FQD7P20TM | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm |
auf Bestellung 10594 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD7P20TM Produktcode: 149423 |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
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FQD7P20TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQD7P20TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQD7P20TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQD7P20TM | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -3.6A Power dissipation: 55W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.69Ω Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FQD7P20TM | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V |
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FQD7P20TM | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -3.6A Power dissipation: 55W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.69Ω Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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