FQL40N50
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Technische Details FQL40N50
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4, Vgs (Max): ±30V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Bulk, Manufacturer: Fairchild Semiconductor, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Supplier Device Package: TO-264-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 460W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.5pF @ 25V.
Preis FQL40N50 ab 7.05 EUR bis 10.97 EUR
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FQL40N50 Hersteller: ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube 
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auf Bestellung 374 Stücke Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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 Hersteller: ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
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FQL40N50 Hersteller: ON Semiconductor
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10125 Stücke |
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FQL40N50 Hersteller: ONSEMI Material: FQL40N50 THT N channel transistors
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FQL40N50 Hersteller: ONSEMI Material: FQL40N50 THT N channel transistors
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 Hersteller: onsemi / Fairchild MOSFET 500V N-Channel QFET
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auf Bestellung 203 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild MOSFET 500V N-Channel QFET
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auf Bestellung 226 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FQL40N50 Hersteller: ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
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FQL40N50 Hersteller: ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
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FQL40N50 Hersteller: Rochester Electronics, LLC Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4 Packaging: Bulk Part Status: Active Manufacturer: onsemi
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 Hersteller: onsemi Description: MOSFET N-CH 500V 40A TO264-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: TO-264-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 460W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Packaging: Tube
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auf Bestellung 254 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQL40N50 Hersteller: Rochester Electronics, LLC Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4 Vgs (Max): ±30V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Bulk Manufacturer: Fairchild Semiconductor Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Supplier Device Package: TO-264-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 460W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.5pF @ 25V
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auf Bestellung 375 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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