FQL40N50

FQL40N50 ON Semiconductor


fql40n50.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
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Technische Details FQL40N50 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 500V 40A TO264-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 460W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-264-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V.

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FQL40N50 FQL40N50 Hersteller : ON Semiconductor fql40n50.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
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FQL40N50 FQL40N50 Hersteller : onsemi / Fairchild FQL40N50_D-2313936.pdf MOSFET 500V N-Channel QFET
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FQL40N50 FQL40N50 Hersteller : ON Semiconductor fql40n50.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
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FQL40N50 FQL40N50 Hersteller : ONSEMI 2907429.pdf Description: ONSEMI - FQL40N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 40 A, 0.085 ohm, TO-264
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 460
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 460
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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FQL40N50 FQL40N50 Hersteller : ON Semiconductor fql40n50.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
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FQL40N50 Hersteller : ON Semiconductor FAIRS46619-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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FQL40N50 FQL40N50 Hersteller : ON Semiconductor fql40n50.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
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FQL40N50 FQL40N50 Hersteller : onsemi FAIRS46619-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 500V 40A TO264-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
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FQL40N50 FQL40N50 Hersteller : ONSEMI FAIRS46619-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; Idm: 160A; 460W; TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 0.11Ω
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 460W
Gate charge: 200nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 25A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
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