FQL40N50

FQL40N50

Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
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Technische Details FQL40N50

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4, Vgs (Max): ±30V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Bulk, Manufacturer: Fairchild Semiconductor, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Supplier Device Package: TO-264-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 460W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.5pF @ 25V.

Preis FQL40N50 ab 7.05 EUR bis 10.97 EUR

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
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FQL40N50
Hersteller: ONSEMI
Material: FQL40N50 THT N channel transistors
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 500V N-Channel QFET
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET 500V N-Channel QFET
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Hersteller: Rochester Electronics, LLC
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Manufacturer: onsemi
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FQL40N50
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 40A TO264-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: TO-264-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
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FQL40N50
Hersteller: Rochester Electronics, LLC
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Vgs (Max): ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: Fairchild Semiconductor
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Supplier Device Package: TO-264-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.5pF @ 25V
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