FQP20N06 ON Semiconductor
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Technische Details FQP20N06 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FQP20N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.048 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 53, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 53, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote FQP20N06 nach Preis ab 0.98 EUR bis 1.25 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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FQP20N06 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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FQP20N06 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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FQP20N06 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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FQP20N06 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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FQP20N06 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP20N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.048 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 53 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 53 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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| FQP20N06 |
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| FQP20N06 | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V |
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FQP20N06 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V |
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FQP20N06 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 60V N-Channel QFET |
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