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Technische Details FQP3N50C-F080 onsemi / Fairchild
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.8A; Idm: 12A; 62W; TO220AB, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 1.8A, Pulsed drain current: 12A, Power dissipation: 62W, Case: TO220AB, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 2.5Ω, Mounting: THT, Gate charge: 13nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote FQP3N50C-F080
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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FQP3N50C-F080 | Hersteller : ONSEMI |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.8A; Idm: 12A; 62W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.8A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 62W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FQP3N50C-F080 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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FQP3N50C-F080 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 1.8A TO220-3 |
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FQP3N50C-F080 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 1.8A TO220-3 |
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FQP3N50C-F080 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.8A; Idm: 12A; 62W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.8A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 62W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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