FQP3N80C

FQP3N80C Fairchild Semiconductor


FAIRS47784-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 25 V
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Technische Details FQP3N80C Fairchild Semiconductor

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 107W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FQP3N80C FQP3N80C Hersteller : onsemi / Fairchild FQPF3N80C_D-2313713.pdf MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
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FQP3N80C FQP3N80C Hersteller : ONSEMI 2304065.pdf Description: ONSEMI - FQP3N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 3
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 107
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 107
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FQP3N80C FQP3N80C Hersteller : ON Semiconductor fqpf3n80cjp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FQP3N80C Hersteller : ON Semiconductor fqpf3n80cjp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FQP3N80C FQP3N80C Hersteller : ONSEMI FAIRS47784-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; Idm: 12A; 107W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 107W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FQP3N80C FQP3N80C Hersteller : ONSEMI FAIRS47784-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; Idm: 12A; 107W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 107W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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