FQP50N06L ONSEMI
Hersteller: ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP50N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 52.4 A, 0.017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
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Qualifikation: -
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Verlustleistung: 121W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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Technische Details FQP50N06L ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP50N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 52.4 A, 0.017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 52.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 121W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote FQP50N06L nach Preis ab 2.65 EUR bis 2.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FQP50N06L | Hersteller : ON-Semicoductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 52,4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP50N06L TFQP50n06l Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FQP50N06L Produktcode: 180806 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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FQP50N06L | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 52.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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| FQP50N06L | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 52.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQP50N06L | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 52.4A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 26.2A, 10V Power Dissipation (Max): 121W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V |
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FQP50N06L | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level |
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FQP50N06L | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 37.1A; Idm: 210A; 121W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 37.1A Pulsed drain current: 210A Power dissipation: 121W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 21mΩ Mounting: THT Gate charge: 24.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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