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FQP55N10

FQP55N10 onsemi

fqp55n10-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
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Technische Details FQP55N10 onsemi

Description: ONSEMI - FQP55N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 155W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FQP55N10 FQP55N10 Hersteller : onsemi / Fairchild FQP55N10_D-1810008.pdf MOSFET 100V N-Channel QFET
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FQP55N10 FQP55N10 Hersteller : ONSEMI 2907436.pdf Description: ONSEMI - FQP55N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
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Produktcode: 88644 		fqp55n10-d.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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FQP55N10 Hersteller : ONSEMI fqp55n10-d.pdf FQP55N10 THT N channel transistors
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