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FQP7P06

FQP7P06 onsemi

fqp7p06-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 25 V
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Technische Details FQP7P06 onsemi

Description: MOSFET P-CH 60V 7A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 25 V.

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FQP7P06 FQP7P06 Hersteller : onsemi / Fairchild FQP7P06_D-1809711.pdf MOSFET 60V P-Channel QFET
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FQP7P06 Hersteller : Fairchild fqp7p06-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 410mOhm; 7A; 45W; -55°C ~ 175°C; FQP7P06 TFQP7p06
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FQP7P06 Hersteller : ONSEMI fqp7p06-d.pdf FQP7P06 THT P channel transistors
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FQP7P06 FQP7P06 Hersteller : ON Semiconductor 3948470094491018fqp7p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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