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Technische Details FQPF11P06 onsemi
Category: THT P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.08A; Idm: -34.4A; 30W, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -6.08A, Pulsed drain current: -34.4A, Power dissipation: 30W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±25V, On-state resistance: 0.175Ω, Mounting: THT, Gate charge: 17nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote FQPF11P06 nach Preis ab 2.28 EUR bis 3.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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FQPF11P06 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
 MOSFET 60V P-Channel QFET |
auf Bestellung 1732 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| FQPF11P06 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF11P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.14 ohm, TO-220F Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 8.6 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 30 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 788 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF11P06 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.08A; Idm: -34.4A; 30W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -6.08A Pulsed drain current: -34.4A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.175Ω Mounting: THT Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQPF11P06 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQPF11P06 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.08A; Idm: -34.4A; 30W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -6.08A Pulsed drain current: -34.4A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.175Ω Mounting: THT Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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