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Technische Details FQPF15P12 onsemi
Category: THT P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -120V; -10.6A; Idm: -60A; 41W, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -120V, Drain current: -10.6A, Pulsed drain current: -60A, Power dissipation: 41W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.2Ω, Mounting: THT, Gate charge: 38nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote FQPF15P12 nach Preis ab 3.8 EUR bis 6.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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FQPF15P12 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
 MOSFET 120V P-Channel QFET |
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FQPF15P12 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 120V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQPF15P12 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -120V; -10.6A; Idm: -60A; 41W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -120V Drain current: -10.6A Pulsed drain current: -60A Power dissipation: 41W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FQPF15P12 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -120V; -10.6A; Idm: -60A; 41W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -120V Drain current: -10.6A Pulsed drain current: -60A Power dissipation: 41W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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