FQPF5N60C ON Semiconductor
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Technische Details FQPF5N60C ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V, Power Dissipation (Max): 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FQPF5N60C
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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FQPF5N60C | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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FQPF5N60C | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF5N60C - MOSFET, N, TO-220F tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm |
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FQPF5N60C Produktcode: 131269 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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FQPF5N60C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FQPF5N60C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQPF5N60C | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V |
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FQPF5N60C | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series |
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