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FQPF6N80C

FQPF6N80C ON Semiconductor

fqpf6n80c.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details FQPF6N80C ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.75A, 10V, Power Dissipation (Max): 51W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V.

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FQPF6N80C FQPF6N80C Hersteller : onsemi / Fairchild FQPF6N80C_D-2313685.pdf MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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FQPF6N80C FQPF6N80C Hersteller : ON Semiconductor fqpf6n80c.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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FQPF6N80C FQPF6N80C
Produktcode: 116791 		fqpf6n80c-d.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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