FQPF7P20 ON Semiconductor
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Technische Details FQPF7P20 ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 200V 5.2A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FQPF7P20 nach Preis ab 1.86 EUR bis 4.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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FQPF7P20 | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 200V 5.2A TO220FPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V |
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FQPF7P20 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 200V P-Channel QFET |
auf Bestellung 7884 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| FQPF7P20 | Hersteller : Fairchild |
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auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FQPF7P20 | Hersteller : FAIRCHILD |
02+ |
auf Bestellung 510 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FQPF7P20 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF7P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5 A, 0.54 ohm, TO-220F Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 5 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 45 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 45 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 172 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF7P20 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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FQPF7P20 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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FQPF7P20 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.3A; Idm: -20.8A; 45W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -3.3A Pulsed drain current: -20.8A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.69Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FQPF7P20 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.3A; Idm: -20.8A; 45W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -3.3A Pulsed drain current: -20.8A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.69Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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