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FQPF8N60C

FQPF8N60C Fairchild

fqpf8n60c-d.pdf
Produktcode: 13455
Hersteller: Fairchild
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 07.05.2015
Rds(on), Ohm: 01.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 965/28
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
verfügbar 203 Stück:
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Technische Details FQPF8N60C Fairchild

  • MOSFET, N, TO-220F
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:600V
  • Cont Current Id:7.5A
  • On State Resistance:1.2ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220F
  • Termination Type:Through Hole
  • Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
  • SVHC:Cobalt dichloride
  • Max Voltage Vds:600V
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:48W
  • Power Dissipation Pd:48W
  • Pulse Current Idm:30A
  • SVHC (Additional):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP)
  • Transistor Case Style:TO-220F

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
FQPF8N60C FQPF8N60C Hersteller : ON Semiconductor fqpf8n60c.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FQPF8N60C FQPF8N60C Hersteller : onsemi fqpf8n60c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQPF8N60C FQPF8N60C Hersteller : onsemi / Fairchild FQPF8N60C_D-2313780.pdf MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
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Ton/Toff, µs: 18/18
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№ 8: 8542 39 90 00
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erwartet 6000 Stück:
6000 Stück - erwartet 01.05.2024
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