FQPF8N80C Fairchild
Hersteller: FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 1,55Ohm; 8A; 59W; -55°C ~ 150°C; FQPF8N80C TFQPF8n80c
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Technische Details FQPF8N80C Fairchild
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 59W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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FQPF8N80C (SOT-220F - Fairchild) MOSFET 800V/8A/1.55R Produktcode: 122019 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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FQPF8N80C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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FQPF8N80C | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V |
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FQPF8N80C | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series |
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