FQPF9N50CF ON Semiconductor
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Technische Details FQPF9N50CF ON Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 44W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FQPF9N50CF nach Preis ab 1.75 EUR bis 6.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||
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FQPF9N50CF | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
 Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V |
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FQPF9N50CF | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF9N50CF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.7 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 9 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 44 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 44 Bauform - Transistor: TO-220F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.7 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FQPF9N50CF | Hersteller : ON-Semicoductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQPF9N50CF TFQPF9n50cf Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FQPF9N50CF | Hersteller : ON-Semicoductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQPF9N50CF TFQPF9n50cf Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FQPF9N50CF Produktcode: 94298 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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FQPF9N50CF | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQPF9N50CF | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET N-CH/500V/9A/ QFET C-Series |
Produkt ist nicht verfügbar |