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Technische Details FQU2N100TU onsemi
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1A; 50W; IPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 1A, Power dissipation: 50W, Case: IPAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 9Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote FQU2N100TU nach Preis ab 1.42 EUR bis 3.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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FQU2N100TU | Hersteller : onsemi / Fairchild |
 MOSFET 1000V/1.6A/N-CH |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| FQU2N100TU | Hersteller : Fairchild |
N-MOSFET 1.6A 1000V 50W 9Ω FQU2N100TU TFQU2n100tu Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FQU2N100TU | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1A; 50W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 1A Power dissipation: 50W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| FQU2N100TU | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1A; 50W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 1A Power dissipation: 50W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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