FS100R12W2T7B11BOMA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2+ | 127.68 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FS100R12W2T7B11BOMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS100R12W2T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 175 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -V, Dauer-Kollektorstrom: -A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): -, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -mW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EasyPIM, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: -, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote FS100R12W2T7B11BOMA1 nach Preis ab 126.48 EUR bis 224.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FS100R12W2T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 80A 20W 33-Pin Tray |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
FS100R12W2T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 80A 20W 33-Pin Tray |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
FS100R12W2T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules EASY STANDARD |
auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
FS100R12W2T7B11BOMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FS100R12W2T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -V Dauer-Kollektorstrom: -A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): - Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: -mW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EasyPIM Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: - Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
 |
FS100R12W2T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 70A Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
|
|
FS100R12W2T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 80A 20W 33-Pin Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
| FS100R12W2T7B11BOMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EasyPACK™ 2B Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Case: AG-EASY2B-2 Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 200A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||
 |
FS100R12W2T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 100A 20MW EASY Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 175°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.50V @ 15V, 100A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY2B-1 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 9 µA |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
| FS100R12W2T7B11BOMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EasyPACK™ 2B Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Case: AG-EASY2B-2 Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 200A |
Produkt ist nicht verfügbar |