FS45MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies
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Technische Details FS45MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS45MR12W1M1B11BOMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Sechsfach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, Module, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: -Pin(s), productTraceability: No, Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm.
Weitere Produktangebote FS45MR12W1M1B11BOMA1 nach Preis ab 182.29 EUR bis 347.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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FS45MR12W1M1B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 1.2KV 25A 22-Pin AG-EASY1BM Tray |
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FS45MR12W1M1B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 25A 22-Pin AG-EASY1BM Tray |
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FS45MR12W1M1B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: SIC 6N-CH 1200V AG-EASY1BM-2 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 10mA Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2 Part Status: Obsolete |
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FS45MR12W1M1B11BOMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FS45MR12W1M1B11BOMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Sechsfach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, Module tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Module Anzahl der Pins: -Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm |
auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FS45MR12W1M1B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY |
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FS45MR12W1M1B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 25A 22-Pin AG-EASY1BM Tray |
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