FS45MR12W1M1B11BOMA1

FS45MR12W1M1B11BOMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Material: FS45MR12W1M1B11 Transistor modules MOSFET
Infineon-FS45MR12W1M1_B11-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46266f85d6301670cfae6a534bb
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Technische Details FS45MR12W1M1B11BOMA1

Description: MOSFET MODULE 1200V 50A, Part Status: Active, Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 10mA, FET Feature: Silicon Carbide (SiC), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V (Typ), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840pF @ 800V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tj), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), FET Type: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Power - Max: 20mW (Tc), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Tray.

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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Material: FS45MR12W1M1B11 Transistor modules MOSFET
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Hersteller: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET MODULE 1200V 50A
Part Status: Active
Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 10mA
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V (Typ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
FET Type: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Power - Max: 20mW (Tc)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
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