FS820R08A6P2LBBPSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 750V 450A 714W Automotive AEC-Q101 33-Pin HYBRIDD-1 Tray
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Technische Details FS820R08A6P2LBBPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS820R08A6P2LBBPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 450 A, 1.1 V, 714 W, 175 °C, Module, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT EDT2 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V, Dauer-Kollektorstrom: 450A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.1V, Verlustleistung Pd: 714W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 714W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750V, Produktpalette: HybridPACK, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 450A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote FS820R08A6P2LBBPSA1 nach Preis ab 1244.78 EUR bis 1309.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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FS820R08A6P2LBBPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules HYBRID PACK DRIVE |
auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FS820R08A6P2LBBPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 820A HYBRID PK DRIVE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: 175°C (TJ) NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 820 A |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FS820R08A6P2LBBPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 750V 450A 714000mW Automotive 33-Pin HYBRIDD-1 Tray |
auf Bestellung 794 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FS820R08A6P2LBBPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FS820R08A6P2LBBPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 450 A, 1.1 V, 714 W, 175 °C, Module tariffCode: 85423990 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT EDT2 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V Dauer-Kollektorstrom: 450A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.1V Verlustleistung Pd: 714W euEccn: NLR Verlustleistung: 714W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750V Produktpalette: HybridPACK Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 450A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FS820R08A6P2LBBPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 750V 450A 714W Automotive AEC-Q101 33-Pin HYBRIDD-1 Tray |
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FS820R08A6P2LBBPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 750V 450A 714W Automotive AEC-Q101 33-Pin HYBRIDD-1 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FS820R08A6P2LBBPSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; 714W Application: Inverter Electrical mounting: Press-in PCB Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Case: AG-HYBRIDD-1 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 450A Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor Power dissipation: 714W Technology: HybridPACK™ Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 1.64kA Max. off-state voltage: 750V Anzahl je Verpackung: 6 Stücke |
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| FS820R08A6P2LBBPSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; 714W Application: Inverter Electrical mounting: Press-in PCB Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Case: AG-HYBRIDD-1 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 450A Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor Power dissipation: 714W Technology: HybridPACK™ Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 1.64kA Max. off-state voltage: 750V |
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