FZ400R12KS4HOSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 510A 2500mW Automotive 4-Pin 62MM-2 Tray
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Technische Details FZ400R12KS4HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FZ400R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 510 A, 3.2 V, 2.5 kW, 125 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V, Dauer-Kollektorstrom: 510A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötfahne, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2V, Verlustleistung Pd: 2.5kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5kW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: Standard 62mm C, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 510A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
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FZ400R12KS4HOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FZ400R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 510 A, 3.2 V, 2.5 kW, 125 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V Dauer-Kollektorstrom: 510A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2V Verlustleistung Pd: 2.5kW euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: Standard 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 510A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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FZ400R12KS4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 510A 2500000mW Automotive 4-Pin 62MM-2 Tray |
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| FZ400R12KS4HOSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 400A; AG-62MM Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 400A Pulsed collector current: 800A Power dissipation: 2.5kW Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FZ400R12KS4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 510A 2500mW Automotive 4-Pin 62MM-2 Tray |
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FZ400R12KS4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 510A 2500mW Automotive 4-Pin 62MM-2 Tray |
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FZ400R12KS4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 510A 2500W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 400A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 510 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 2500 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26 nF @ 25 V |
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FZ400R12KS4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM |
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| FZ400R12KS4HOSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 400A; AG-62MM Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 400A Pulsed collector current: 800A Power dissipation: 2.5kW |
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