Produkte > DIODES ZETEX > FZT653QTA
FZT653QTA

FZT653QTA Diodes Zetex

fzt653q.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 2A 3000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1348000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FZT653QTA Diodes Zetex

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 175MHz, Supplier Device Package: SOT-223-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.2 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote FZT653QTA nach Preis ab 0.6 EUR bis 1.84 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
FZT653QTA FZT653QTA Hersteller : Diodes Incorporated FZT653Q.pdf Description: PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.2 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1349000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.78 EUR
2000+ 0.69 EUR
5000+ 0.65 EUR
10000+ 0.61 EUR
25000+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
FZT653QTA FZT653QTA Hersteller : Diodes Incorporated FZT653Q.pdf Description: PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.2 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1349990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
15+1.82 EUR
17+ 1.58 EUR
100+ 1.09 EUR
500+ 0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 15
FZT653QTA Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004566177_1-2542753.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
29+1.84 EUR
33+ 1.61 EUR
100+ 1.1 EUR
500+ 0.92 EUR
1000+ 0.73 EUR
2000+ 0.67 EUR
5000+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 29
FZT653QTA FZT653QTA Hersteller : Diodes Inc fzt653q.pdf SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar