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FZT849TA

FZT849TA Diodes Incorporated

FZT849.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 30V 7A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 3 W
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Technische Details FZT849TA Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 30V 7A SOT223-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-223-3, Current - Collector (Ic) (Max): 7 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 3 W.

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FZT849TA FZT849TA Hersteller : Diodes Incorporated FZT849.pdf Description: TRANS NPN 30V 7A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 3 W
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