FZT869TA Diodes Zetex
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Technische Details FZT869TA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - FZT869TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 7 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 7A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote FZT869TA nach Preis ab 0.53 EUR bis 2.08 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FZT869TA | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 25V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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FZT869TA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 25V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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FZT869TA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 25V 7A SOT223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 6.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 3 W |
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FZT869TA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 25V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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FZT869TA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 25V 7A SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 6.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 3 W |
auf Bestellung 25610 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FZT869TA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN High Ct Low Sat |
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FZT869TA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FZT869TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 7 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 7A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
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FZT869TA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FZT869TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 7 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 7A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1419 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FZT869TA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 25V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FZT869TA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 25V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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