G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor
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Technische Details G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R1000MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 53W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: G2R, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote G2R1000MT17D nach Preis ab 4.48 EUR bis 13.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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G2R1000MT17D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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G2R1000MT17D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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G2R1000MT17D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 111 pF @ 1000 V |
auf Bestellung 3412 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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G2R1000MT17D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 1700V 1000mohm TO-247-3 G2R SiC MOSFET |
auf Bestellung 3489 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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G2R1000MT17D | Hersteller : GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R1000MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 53W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: G2R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| G2R1000MT17D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A |
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G2R1000MT17D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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G2R1000MT17D | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 53W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: G2R™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 4A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 53W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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G2R1000MT17D | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 53W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: G2R™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 4A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 53W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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